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Furukawa窄線寬可調諧激光器:相干光通信的核心技術突破與演進

更新時間:2025-07-03點擊次數:44

  引言:光通信時代的光源革命


  隨著數據流量的指數級增長,數字相干光通信技術正從長距離干線傳輸向短距離城域網、數據中心互聯(DCI)等場景滲透。作為相干通信系統的“心臟",可調諧激光器需同時滿足波長覆蓋擴展、線寬壓縮、尺寸功耗微型化等多重挑戰。古河電工集團通過半導體集成技術與外腔結構創新,開發出系列窄譜線寬集成可調諧激光器組件(ITLA),為400G/800G及下一代超高速光網絡提供了核心技術支撐。


  一、技術需求與理論基礎:從性能指標到物理本質


  1.1 可調諧激光器的核心性能參數


  - 波長調諧范圍:傳統C波段(1529-1567nm,約40nm)已無法滿足容量需求,擴展C波段(1524-1573nm,50nm)和L波段(1565-1625nm,60nm)成為主流需求,需覆蓋WDM系統50GHz網格的100+信道。


  - 光輸出功率:短距離系統(如數據中心)要求光纖輸出功率15-19dBm(31.6-79.4mW),以補償無源器件損耗;長距離系統可通過EDFA放大,對功率要求相對寬松。


  - 線寬:相干通信依賴光的相位信息,線寬直接影響相位噪聲。25Gbaud QPSK系統要求線寬<500kHz,而16QAM/64QAM調制下需進一步壓縮至100-300kHz,下一代200Gbaud以上系統則要求<50kHz。


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圖1光譜線寬的計算值


  1.2 線寬控制的理論模型


  根據Schawlow-Townes公式(Henry修正版),線寬與鏡面損耗(αm)、有源區限制因子(Γz)等參數密切相關:


  - 腔長效應:DFB激光器腔長從450μm延長至1500μm時,鏡面損耗從52cm?1降至15-20cm?1,線寬可從1MHz壓縮至300kHz以下。


  - 外腔結構:集成外部波導或諧振腔時,Γz < 1.線寬與Γz^2成比例縮小。例如,Γz=1/3時,線寬可降低一個數量級。


  二、陣列型可調諧激光器:從DFB到AWG-DR的技術迭代


  2.1 DFB激光陣列:寬調諧范圍的基礎方案


  - 結構設計:單片集成12個波長間隔3.5nm的DFB激光器,通過溫度調諧(35℃溫度變化對應3.5nm波長偏移)實現42nm覆蓋范圍。


  - 線寬優化:為滿足相干通信需求,腔長從IM-DD系統的400-500μm(線寬~2MHz)延長至1200-1500μm,實現線寬<300kHz。


  - 局限性:依賴溫度調諧導致功耗較高,且多模干涉儀(MMI)復用器存在1/M的合并損耗(M為激光器數量)。


  2.2 AWG-DR激光陣列:窄線寬與高功率的突破


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圖2 AWG-DR激光器陣列的芯片圖片(a)和可調波長激光模塊的結構(b)


  - 創新結構:在DFB激光器后集成分布式布拉格反射器(DBR)形成DR(Distributed Reflector)結構,前端單片集成陣列波導光柵(AWG)復用器。


  - DR結構:降低鏡面損耗與閾值電流,提升線寬性能;


  - AWG復用器:利用波長選擇性耦合,效率比MMI高3dB以上,支持更高功率輸出。


  - 模塊設計:SOA與激光芯片分離,中間插入隔離器以防止自發輻射光混入激光腔,同時獨立控制SOA溫度以實現低溫高功率工作。


  - 性能指標:光纖輸出功率>19dBm(80mW),線寬<100kHz,邊模抑制比(SMSR)>45dB,已應用于微型ITLA(micro-ITLA)。


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圖3 AWG-DR激光陣列模塊的光輸出功率特性

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圖4 AWG-DR激光陣列模塊的光譜線寬特性


  三、DBR/環激光器:緊湊型ITLA的技術革新


  3.1 單片集成DBR/環結構:外腔游標效應


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圖5 單片集成DBR/環形激光芯片的示意圖


  - 設計原理:在單增益區后方集成環形反射器,前方集成DBR和半導體光放大器(SOA),利用游標效應實現波長調諧:


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圖6 DBR和環形反射器的反射光譜計算結果及合成光譜


  - DBR反射峰:通過相位調制設計8個反射峰;


  - 環形反射器:具有無限周期性反射峰,兩者峰間隔設計為微小差異,僅在重合波長處形成高反射率,實現單模激射。


  - 外腔效應:無源波導反射器位于增益區外部,限制因子降低,理論線寬<100kHz,實測C波段線寬<100kHz,輸出功率17dBm(50mW)。


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圖8 DBR/環激光模塊的光譜線寬


  3.2 擴展C波段優化:從2×2 MMI到1×2 MMI的演進


  - 結構改進:將環形反射器的2×2多模干涉儀(MMI)改為1×2 MMI,縮短環電路長度,使自由光譜范圍(FSR)從4.5nm增至7.2nm;擴展DBR的FSR,反射峰數量從8個減少至7個,制造容差從±50nm提升至±100nm。


  - 性能驗證:覆蓋擴展C波段54nm(1524-1578nm),單模激射SMSR>45dB,輸出功率>18dBm(63mW),滿足50GHz網格全信道覆蓋。


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圖9 計算得到的2x2 MMI(左側)和1x2 MMI(右側)的損耗特性結果,圖10 環形反射器的表面圖片,圖11使用1x2毫米的擴展C波段DBR/環激光器的拉曼散射光譜和光學輸出


  四、ITLA控制電路與微型化:從標準到納米級突破


  4.1 OIF標準與控制架構


  - 接口標準化:遵循OIF制定的ITLA標準,通過串行接口(如I2C/SPI)實現波長、功率、溫度等參數的遠程控制,存儲器存儲電流、溫度等配置參數。


  - 電路集成:納米ITLA采用專用ASIC)集成控制功能,包含CPU、增益/DBR/環/相位/TEC等控制模塊,通過軟件算法優化濾波器配置,降低硬件復雜度。


  4.2 小型化與功耗演進


  三代ITLA對比:


  ① ITLA:尺寸30.5×74×10.5mm3,功耗<6.6W;


  ② micro-ITLA:尺寸20×37.5×6.4mm3,功耗<5W,集成AWG-DR激光模塊;


  ③ nano-ITLA:尺寸17×26×5.4mm3,功耗~3W,集成DBR/環激光模塊,適用于QSFP-DD等緊湊型收發器。


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圖12 ITLA微型化過渡


  五、下一代超窄線寬激光器:外腔結構的前沿探索


  5.1 外腔激光器設計:限制因子優化


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圖14 使用外部光柵和鏡子配置外部腔體可調激光器


  - 結構創新:增益區前集成DBR和SOA,后方設置外部反射鏡與硅標準具(etalon),外腔長度擴展至毫米級,使限制因子降至1/5以下。


  - 理論優勢:自發輻射光在外部波導中與激光光分離,線寬與Γz2成比例縮小,預計可實現<20kHz線寬。


  5.2 實測性能與挑戰


  - 當前進展:覆蓋C波段(1530-1565nm),線寬<50kHz,SMSR>50dB,滿足下一代超高速系統需求。


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圖15 使用外部光柵和鏡子的外腔激光器的拉曼光譜測量結果

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圖16 使用外部光柵和鏡子的外腔激光器的光譜線寬測量結果


  - 待解決問題:


  ① 安裝復雜度高,需高精度光學對準;


  ② 長腔長導致縱模間隔縮小(~100MHz),波長控制敏感性增加。


  六、總結


  古河電工的窄線寬ITLA技術已形成完整體系:微型ITLA(AWG-DR結構)實現19dBm輸出與<100kHz線寬,納米ITLA(DBR/環結構)達成緊湊型與低功耗平衡,下一代外腔激光器突破50kHz線寬瓶頸。


  參考文獻: PIC Worker 光芯




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