技術(shù)文章
Technical articles量子點(diǎn)激光器技術(shù)基礎(chǔ)
量子點(diǎn)激光器在半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì),相比傳統(tǒng)的量子阱器件展現(xiàn)出更優(yōu)異的性能表現(xiàn)。這些微觀結(jié)構(gòu)在三個(gè)維度上限制電子和空穴,產(chǎn)生的光學(xué)和電子特性,使其在高功率應(yīng)用和先進(jìn)光通信中表現(xiàn)。
圖1:量子點(diǎn)激光器炒作周期及技術(shù)優(yōu)勢(shì)對(duì)比圖,展示了從1995年到2025年量子點(diǎn)激光器技術(shù)的演進(jìn)過程,以及與硅基光電子和薄膜鈮酸鋰等外部調(diào)制技術(shù)的協(xié)同發(fā)展。
InAs/GaAs量子點(diǎn)激光器的核心優(yōu)勢(shì)包括出色的溫度穩(wěn)定性、顯著降低的背反射敏感性、多波長(zhǎng)生成能力、窄激光線寬、低噪聲特性以及增強(qiáng)的可靠性。這些特性源于量子點(diǎn)中的三維量子限制效應(yīng),創(chuàng)建了類似原子的離散能級(jí),而不是量子阱中的連續(xù)能帶結(jié)構(gòu)。
量子點(diǎn)技術(shù)長(zhǎng)期以來一直在等待外部調(diào)制技術(shù)的成熟,特別是硅基光電子和薄膜鈮酸鋰技術(shù)。直接調(diào)制速度超過10Gbps的應(yīng)用受到弛豫振蕩阻尼的限制,而電吸收調(diào)制器由于增益吸收比較低也難以實(shí)現(xiàn)。在此期間,Innolume開發(fā)了的無再生長(zhǎng)步驟的GaAs DFB技術(shù),成功實(shí)現(xiàn)了1064nm量子阱的1W連續(xù)波DFB激光器。
1制造工藝與產(chǎn)品組合
Innolume通過全面的垂直整合建立了量子點(diǎn)激光器制造領(lǐng)域的地位。制造設(shè)施覆蓋了從設(shè)計(jì)到表征的完整生產(chǎn)鏈,包括基于軟件的芯片設(shè)計(jì)、分子束外延生長(zhǎng)、復(fù)雜的晶圓和芯片制造工藝、先進(jìn)的封裝技術(shù)以及嚴(yán)格的質(zhì)量控制措施。
圖2:Innolume全面的產(chǎn)品組合光譜圖,顯示了從750nm到1350nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的各種激光產(chǎn)品,包括單模激光二極管、光放大器、寬帶光源和多模器件的不同封裝選項(xiàng)。
公司的產(chǎn)品線涵蓋功率可達(dá)500mW的單模激光二極管、達(dá)到1W的脈沖激光二極管(法布里-珀羅配置)、覆蓋O波段的復(fù)雜梳狀激光器(多達(dá)37個(gè)通道,80 GHz間距)、以及可提供高達(dá)700mW輸出且具有廣泛定制選項(xiàng)的法布里-珀羅激光二極管。
公司在德國(guó)多特蒙德設(shè)有III-V激光器制造和測(cè)試設(shè)施,配備兩個(gè)生產(chǎn)型分子束外延反應(yīng)器,每次運(yùn)行可處理3×4英寸晶圓。美國(guó)圣地亞哥設(shè)有硅基光電子設(shè)計(jì)和測(cè)量實(shí)驗(yàn)室。公司現(xiàn)金流為正,員工總數(shù)75人,包括25名博士和3名數(shù)據(jù)中心專家,在2024年服務(wù)超過150個(gè)全球客戶。
2破紀(jì)錄的性能表現(xiàn)
量子點(diǎn)激光器的技術(shù)優(yōu)勢(shì)在性能指標(biāo)中得到充分體現(xiàn)。Innolume在DFB激光器領(lǐng)域取得了迄今為止最高的連續(xù)波功率紀(jì)錄,展現(xiàn)出的效率和可靠性。
圖3:1064nm InGaAs量子阱DFB激光器的性能表現(xiàn)圖,顯示超過700mW的連續(xù)波輸出功率和45%的功率轉(zhuǎn)換效率,這是DFB激光器技術(shù)迄今報(bào)告的最高連續(xù)波功率。
這款創(chuàng)紀(jì)錄的器件在1064nm波長(zhǎng)下工作,單面輸出光功率超過700mW連續(xù)波,功率轉(zhuǎn)換效率保持在45%以上,邊模抑制比超過45dB。偏振消光比超過18dB,光束發(fā)散角為25×7度,能夠通過低成本的柱面透鏡或菲涅爾透鏡實(shí)現(xiàn)高效的光纖耦合。
該激光器采用的InGaAs/AlGaAs材料技術(shù),無需過度生長(zhǎng)步驟,在量子阱DFB激光器中實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的效率。這種設(shè)計(jì)在1064nm范圍內(nèi)工作,展現(xiàn)出超過700mW的光功率輸出能力。
3溫度適應(yīng)性與工作穩(wěn)定性
量子點(diǎn)技術(shù)最引人注目的優(yōu)勢(shì)之一在于其的溫度穩(wěn)定性。與在高溫下性能顯著下降的傳統(tǒng)量子阱器件不同,量子點(diǎn)激光器在溫度范圍內(nèi)保持一致的工作表現(xiàn)。
圖4:O波段高功率InAs/GaAs量子點(diǎn)DFB激光器的高溫工作性能圖,展示了從-40°C到120°C溫度范圍內(nèi),在不同工作電流下的轉(zhuǎn)換效率穩(wěn)定性表現(xiàn)。
溫度適應(yīng)性源于量子點(diǎn)中的離散能級(jí),相比量子阱提供更好的載流子限制效果。這一基本優(yōu)勢(shì)使器件能夠在高達(dá)85°C的外殼溫度下工作而無需熱電制冷,顯著降低了系統(tǒng)復(fù)雜性和功耗,同時(shí)在苛刻應(yīng)用環(huán)境中增強(qiáng)了可靠性。
該器件在85°C溫度下仍能保持超過55dB的邊模抑制比,相對(duì)強(qiáng)度噪聲低于150dB/Hz,光束發(fā)散角為35×7度。轉(zhuǎn)換效率在60°C工作溫度下仍保持在20%左右,展現(xiàn)出優(yōu)異的溫度特性。
4下一代光學(xué)系統(tǒng)應(yīng)用
量子點(diǎn)激光器能夠滿足現(xiàn)代光通信系統(tǒng)的嚴(yán)格要求,特別是在可插拔收發(fā)器和光電共封裝應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
圖5:量子點(diǎn)連續(xù)波激光器在可插拔光收發(fā)器和光電共封裝系統(tǒng)中的應(yīng)用圖,展示了800G、1.6T、3.2T等不同速率下的系統(tǒng)架構(gòu),以及消除光隔離器和降低熱管理要求等優(yōu)勢(shì)。
該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)100mW和150mW的輸出功率,在80°C外殼溫度下工作而無需熱電制冷或光隔離器,通過消除隔離器和簡(jiǎn)化光學(xué)鏈路顯著降低了聚焦深度和物料清單成本。這些優(yōu)勢(shì)使量子點(diǎn)激光器成為數(shù)據(jù)中心和高性能計(jì)算應(yīng)用中高密度、高能效光互連的理想選擇。
在可插拔光收發(fā)器方面,技術(shù)支持從DSP型收發(fā)器到LPO/LRO收發(fā)器的演進(jìn)。在光電共封裝系統(tǒng)中,提供單波長(zhǎng)灰光和基于梳狀激光器的DWDM彩光解決方案,具有成本、最小尺寸以及無波長(zhǎng)混合損耗的優(yōu)勢(shì)。
5可靠性優(yōu)勢(shì)與技術(shù)發(fā)展
量子點(diǎn)技術(shù)的可靠性優(yōu)勢(shì)超越了簡(jiǎn)單的性能指標(biāo),在器件物理學(xué)方面實(shí)現(xiàn)了根本性改進(jìn)。三維量子限制防止了災(zāi)難性光學(xué)鏡面損傷,并提供比量子阱器件高100-1000倍的輻射硬度。
圖6:1310nm量子點(diǎn)DFB激光器的高加速壽命測(cè)試結(jié)果圖,顯示了在85°C和105°C條件下進(jìn)行的長(zhǎng)期可靠性測(cè)試,其中138個(gè)和63個(gè)測(cè)試器件在數(shù)千小時(shí)測(cè)試中保持穩(wěn)定性能。
通過嚴(yán)格的壽命測(cè)試,Innolume從未觀察到量子點(diǎn)激光器的突然失效,數(shù)千個(gè)器件展現(xiàn)出的可靠性表現(xiàn)。在85°C溫度下200mW工作的預(yù)期壽命超過7年,完整的Telcordia GR468認(rèn)證計(jì)劃于2025年9月完成。
在初步的濕熱測(cè)試中,23個(gè)器件在85°C/76%相對(duì)濕度條件下進(jìn)行了500小時(shí)的加電濕熱測(cè)試,采用120mA電流(按GR468標(biāo)準(zhǔn)為1.2倍閾值電流),未觀察到性能退化現(xiàn)象。
6先進(jìn)梳狀激光器技術(shù)
量子點(diǎn)梳狀激光器技術(shù)經(jīng)歷了從2007年開發(fā)到2025年的持續(xù)改進(jìn)。最新的成果展現(xiàn)了這一技術(shù)在高速光通信中的巨大潛力。
圖7:2025年最新的24通道100GHz網(wǎng)格梳狀激光器進(jìn)展圖,顯示了2.3 THz鎖定帶寬內(nèi)的24個(gè)梳狀通道,總功率40mW,單通道功率1.67mW,線寬小于2MHz,在頻譜內(nèi)的邊模抑制比超過60dB。
2025年的技術(shù)成果包括24個(gè)通道的100 GHz間距、2.3 THz的鎖定帶寬、總功率40mW(每通道1.67mW)、線寬小于2MHz、頻譜內(nèi)邊模抑制比超過60dB。在10MHz-22GHz范圍內(nèi)的平均相對(duì)強(qiáng)度噪聲略低于135 dB/Hz。測(cè)量的誤碼率在106 Gb/s PAM4調(diào)制下低于KP4-FEC水平,總數(shù)據(jù)速率達(dá)到2.5 Tb/s,重新計(jì)算的64 GB/s NRZ誤碼率低于10^-13。
相比2024年最多11個(gè)通道的表現(xiàn),2025年的24通道系統(tǒng)代表了量子點(diǎn)梳狀激光器技術(shù)的顯著進(jìn)步,為高容量光通信系統(tǒng)提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。這項(xiàng)成果在OFC2025會(huì)議上作為截稿后論文發(fā)表,展示了該技術(shù)在光通信領(lǐng)域的最新發(fā)展水平。
參考文獻(xiàn)
[1] Kovsh, "High Power DFB and Comb Lasers based on QDs," Innolume, Dortmund, Germany, Tech. Rep., July 2025.
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