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850nm單模光纖耦合VCSEL激光二極管（不帶TEC） PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直發射 MOVPE 生長的 GaAsP/AlGaAs 單模二極管激光器。 波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和熱敏電阻。我們的 850 nm 單模 VCSEL 專為高速、高性能通信應用而設計。

innolume DFB激光二極管(帶集成光隔離器) 1200nm 60mW 分布式反饋 （DFB） 和分布式布拉格反射器 （DBR） 激光二極管是發射極窄光譜線的光源，帶寬低于 5MHz，典型側模抑制比 （SMSR） 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱（QW）或InAs/GaAs量子點（QD）有源區域和專有芯片設計，覆蓋970-1330nm光譜

innolume DFB激光二極管 1200nm 50mW 分布式反饋 （DFB） 和分布式布拉格反射器 （DBR） 激光二極管是發射極窄光譜線的光源，帶寬低于 5MHz，典型側模抑制比 （SMSR） 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱（QW）或InAs/GaAs量子點（QD）有源區域和專有芯片設計，覆蓋970-1330nm光譜范圍。

808nm 高功率FP泵浦激光二極管 200mW 產品總覽 808nm泵浦激光模塊采用了許多的設計步驟和最新的材料技術，顯著提高了生產過程的可擴展性.泵浦模塊使用光纖布拉格光柵來鎖定發射波長，即使在溫度、驅動電流和光反饋的變化下，也能提供無噪聲的窄帶光譜。

innolume DFB激光二極管 1020nm 50mW 分布式反饋 （DFB） 和分布式布拉格反射器 （DBR） 激光二極管是發射極窄光譜線的光源，帶寬低于 5MHz，典型側模抑制比 （SMSR） 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱（QW）或InAs/GaAs量子點（QD）有源區域和專有芯片設計，覆蓋970-1330nm光譜范圍。