1064nm 四象限Si光電探測(cè)器(N型硅象限光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)
器件是N型硅象限探測(cè)器，當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí)，則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時(shí)，由于象限間輻射通量的變化，引起各個(gè)象限的輸出光電流的變化，由此可測(cè)出物體的方位，從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-06

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

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產(chǎn)品咨詢 18602170419

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產(chǎn)品分類

光電探測(cè)器

超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

1064nm 四象限Si光電探測(cè)器(N型硅象限光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)

器件是N型硅象限探測(cè)器，當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí)，則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時(shí)，由于象限間輻射通量的變化，引起各個(gè)象限的輸出光電流的變化，由此可測(cè)出物體的方位，從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。

感光規(guī)格

16mm ?

響應(yīng)度

@1064nm 0.3A/W

技術(shù)參數(shù)

特性參數(shù)	符號(hào)	測(cè)試條件（除另有規(guī)定外，TA=22℃±3℃）		參數(shù)值		單位
特性參數(shù)	符號(hào)	測(cè)試條件（除另有規(guī)定外，TA=22℃±3℃）		最小值	最大值	單位
響應(yīng)度(交流)(象限)	Spi	λ=1.064μm VR=135 V	脈寬20 ns、Pin=2 mW	0.25	—	A/W
響應(yīng)度(直流)(象限)	Rei		直流、Pin=1μw	0.30	—	A/W
響應(yīng)度變化量(直流) (象限)a 響應(yīng)度變化量(交流) (象限)a	ΔRei		TA=-45 ℃±2 ℃	—	50	%
暗電流(象限)	IDi	VR=135V Pin=0μw	TA=22℃±3℃	—	1	μA
暗電流(象限)	IDi		TA=70℃±3℃	—	10
暗電流(環(huán))	ID		TA=22℃±3℃	—	10
暗電流(環(huán))	ID		TA=70℃±3℃	—	100
結(jié)電容（象限）	Cji	VR=135V，f=1MHz		—	15	pF
光敏面直徑	φ			10	16	mm
等效噪聲功率	NEPi	λ=1.064 μm，VR=135 V ,脈寬20 ns		—	5×10-12	W/HZ1/2
擊穿電壓（象限、環(huán)）	VBR	IR=10μA		200	—	V
象元間靈敏度非均勻性	Rf	λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW		—	5	%
象元內(nèi)靈敏度非均勻性	Rfn	λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW		—	5	%
象元間竄擾因子	SLi	λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW		—	5	%

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 標(biāo)低暗電流

● 高均勻性、高對(duì)稱性

● 高可靠性

● 盲區(qū)小

通用參數(shù)

外形結(jié)構(gòu)

TO型氣密性封裝。外形結(jié)構(gòu)見圖1，外形尺寸見表1。

2345截圖20191014101445.png

2345截圖20191014101905.png

表1、外形尺寸（單位為毫米）

尺寸符號(hào)	φD1	ΦD2	ΦD3	ΦD4	ΦD5	Φd	A	L1	L2	L3	e
最小值	30.55	27.80	3.00	27.915	22.60	0.98	7.03	3.02	1.85	2.70	18.00
最大值	30.65	28.00	3.06	27.94	23.40	1.02	7.20	3.10	1.95	3.00	18.05