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  • 硅 Si 光電平衡探測器 400~1100nm 350MHz

    硅 Si 光電平衡探測器 400~1100nm 350MHz

    更新時間：2024-12-07
    產品型號：
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  • 硅 Si 光電平衡探測器 400~1100nm 200MHz

    硅 Si 光電平衡探測器 400~1100nm 200MHz

    更新時間：2024-12-07
    產品型號：
    瀏覽量：1170
  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm APD 是具有通過施加反向電壓產生的內部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時間響應、低暗電流和高靈敏度。光譜響應范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設計。

    更新時間：2025-02-06
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  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm APD 是具有通過施加反向電壓產生的內部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時間響應、低暗電流和高靈敏度。光譜響應范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設計。

    更新時間：2025-02-06
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  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm 感光直徑1.0mm

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm 感光直徑1.0mm

    更新時間：2024-12-07
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